Resistance Random Access Memory で、抵抗変化型メモリのこと。
原理はビックリするほど簡単だ。
金属は電気を通しやすいものが多いが、その酸化物（つまり錆）は電気を通りにくいものが多い。だから、金属皮膜を酸化や還元をすれば電気抵抗がかわるハズだ。
後は電圧をかけて抵抗値を測定すれば良い。高価なレアメタルを使ったものも多いが安価なアルミニウムでも良いハズ。
では、どうやって酸化・還元をするか？それは酸化しやすい金属と酸化しにくい金属で金属酸化物を挟み両極に電圧をかけて化学（酸化還元）反応を起こせばよい。つまり二次電池（バッテリー）だ。普通のバッテリーと違うのは充電しすぎると正極から延びた酸素の空孔が負極まで到達し短絡（ショート）してしまう様な出来の悪いものにしなければいけない点だ。
しかし、両極をショートさせれば一気に電気が流れてしまいそうだから、例えば、酸素空孔層の分、金属の酸化物層が薄くなることを利用しコンデンサとしてのキャパシティの増減を計測しても良さそうだ。
またバッテリー式ではなく金属イオンを移動させて電気抵抗を変えるものもあるので、一口にReRAMと云っても今後も様々な種類が出てきそうだが、電極にP型とN型の半導体を使い酸化ケイ素やアルミナを挟み込む様なありきたりな材料で済ませるものはまだ無い様だ。
え？だって、微細化しすぎてリーク電流が止まらないって話があったじゃない？
そのリーク電流を少し制御できれば・・・メモリにならない？