Spin Transfer Torque RAM スピン注入磁化反転方式MRAM。
MRAMは、Magnetoresistive Random Access Memory あるいは
Magnetic Random Access Memoryの略称で 磁気抵抗メモリのこと。
SST-RAMはMRAMの第二世代にあたる。
２つの磁性体を極薄い絶縁層ではさんだMTJ（Magnetic Tunnel Junction、磁気トンネル接合）素子は、
磁性体の磁束の向きが揃っていないと磁性体間の電気抵抗が大きいことを利用し、磁性体の一方の磁束の向きを制御して記憶装置にしたもの。
第一世代のMRAMでは実直に磁性体の傍で電流を流し力任せに磁束の向きを変える方式であったため、消費電力が大きめで構造も書込み用の配線と読取り用の配線が分れていた。
第二世代のSST-RAMでは、MTJに直接電流を流すことで磁束の方向を変えるようになり、消費電力を少な目で読み書き両用の配線で済むので配線が簡素化された。しかし、外部からの磁界の影響を受けやすいようだ。
ReRAMとSST-RAMは、記憶素子に上下の配線から電流を流し電気抵抗値が変動する性質を利用したもので、構造図はどちらもDRAMそっくりでよく似ている。そんな訳で作るのはDRAMメーカーになるのだろう。
抵抗値自体は温度や湿気の影響やパッケージに含まれる微量な放射性物質が放出する放射線の影響がほとんど無い様に思われるが、酸素空孔や磁性体の磁束方向の状態にどの程度の影響があるのか気になるところだ。